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TSB772CK C0G /
TSB772CK C0G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A

电压 - 集射极击穿(最大值):30V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):500mV @ 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值):1µA

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 1A,2V

功率 - 最大值:10W

频率 - 跃迁:80MHz

工作温度:150°C(TJ)

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3

供应商器件封装:TO-126

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商TSB772CK C0G
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TSB772CK C0GTaiwan Semiconductor CorporationTRANSISTOR, PNP, -30V, -3A, 100A$0.15888